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2002 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS30485A-page 267
PIC18FXX39
TABLE 23-2:
MEMORY PROGRAMMING REQUIREMENTS
DC Characteristics
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Internal Program Memory
Programming Specifications
D110
VPP
Voltage on MCLR/VPP pin
9.00
—
13.25
V
D113
IDDP
Supply Current during
Programming
——
10
mA
Data EEPROM Memory
D120
ED
Cell Endurance
100K
1M
—
E/W -40
°C to +85°C
D121
VDRW VDD for Read/Write
VMIN
—
5.5
V
Using EECON to read/write
VMIN = Minimum operating
voltage
D122
TDEW Erase/Write Cycle Time
—
4
—
ms
D123
TRETD Characteristic Retention
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D123A TRETD Characteristic Retention
100
—
Year 25
°C (Note 1)
D124
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(2)
1M
10M
—
E/W -40°C to +85°C
Program FLASH Memory
D130
EP
Cell Endurance
10K
100K
—
E/W -40
°C to +85°C
D131
VPR
VDD for Read
VMIN
—
5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132
VIE
VDD for Block Erase
4.5
—
5.5
V
Using ICSP port
D132A VIW
VDD for Externally Timed Erase
or Write
4.5
—
5.5
V
Using ICSP port
D132B VPEW VDD for Self-timed Write
VMIN
—
5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D133
TIE
ICSP Block Erase Cycle Time
—
4
—
ms VDD
≥ 4.5V
D133A TIW
ICSP Erase or Write Cycle Time
(externally timed)
1
——
ms VDD
≥ 4.5V
D133A TIW
Self-timed Write Cycle Time
—
2
—
ms
D134
TRETD Characteristic Retention
40
—
Year Provided no other
specifications are violated
D134A TRETD Characteristic Retention
100
—
Year 25
°C (Note 1)
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1: Retention time is valid, provided no other specifications are violated.
2: Refer to Section 6.8 for a more detailed discussion on data EEPROM endurance.
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